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氮化镓分立器件

氮化镓分立器件

产品名称:氮化镓分立器件
产品编号:7493-192
上架时间:2018-12-27
浏览次数:1782

产品详情

        氮化镓与第一代的Si以及第二代的GaAs等前辈相比,其在特性上优势突出。由于禁带宽度大、导热率高,GaN器件可在200℃以上的高温下工作,能够承载更高的能量密度,可靠性更高;较大禁带宽度和绝缘破坏电场,使得器件导通电阻减少,有利与提升器件整体的能效;电子饱和速度快,以及较高的载流子迁移率,可让器件高速地工作。

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